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采用有獨特柵極偏置調整的多處理機系統晶胞管的GaN HEMT放小器的曲線減弱

頒布時光：2018-05-04 13:53:07     搜素：9361

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：選用有著獨立自主柵極偏置操作的串連晶狀體管的GaN HEMT變小器的直線提升。 GaN HEMT還具有較高的打印效果電率高密度和較寬的速率利用率。并且，GaN HEMT的曲線典型案例地比GaAs電子元器件封裝的曲線更差。本段提起好幾個種簡略的策略來增加GaN HEMT的曲線度。所提起的策略是將電子元器件封裝拆成與獨立性的控制的柵極偏置電流值串聯的數個子摸塊，以后將電率合并成子摸塊打印效果。類似的增加器..
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