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ADRF5132雙吸式雙擲反射強度打開

公布時段:2024-12-17 11:36:58     瀏覽訪問:763

ADRF5132是款高工作電壓、反射面性、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單極、雙擲(SPDT)反射強度旋轉開關,選用無高壓導線表面上貼裝封口狀態。該交換機尤為合適高電機功率和蜂窩狀知識基礎公共設施構建選用,如長精力演變(LTE)基站天線專用設備。ADRF5132必備35 dBm LTE的高額定功率治理 轉化率(在105°C下的平均典例值),2.7 GHz下0.6 dB的低插進衰減,65 dBm的填寫三階截距(典型示范值)和42.5 dBm的0.1 dB解壓縮(P0.1dB)。

ADRF5132板上開關電源用電線路在5V的簡單正主機電源線電壓和1.1mA的具代表性主機電源功率下運營,使ADRF5132變成了為pin穩壓管的控制開關的佳化帶替品。

ADRF5132建議選用實現RoHS標準規定的緊奏型型16管腳3 mm×3 mmLFCSP封裝樣式。

ADRF5132.png

的特點

折射性,50?設計的概念

低加入損耗量:2.7 GHz時典型的為0.6 dB

TCASE=105°C時的高瓦數解決處理

長周期(>10年運轉)

最大化工作電壓:43 dBm

CW工作電壓:38 dBm

LTE基線電功率(8 dB規定桿數):35 dBm

單事故(<10秒操作步驟)

LTE閥值瓦數(8 dB規定桿數):41 dBm

高直線度

P0.1dB:42.5 dBm一般值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的典范數值65 dBm

ESD額定容量值

HBM:2 kV,2級

CDM:1.25 kV

單正電原:5V

同向管控,兼容CMOS/TTL

16管腳,3mm×3mm LFCSP二極管封裝的形式

應用領域

蜂窩狀/4G基礎條件的設施建筑

移動系統基礎理論的設施構建

在軍事和高穩定性應用軟件

軟件測試檢測儀器

Pin電子元器件大家庭中的一員-二極管刪除

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