AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI產品的地方。HiFET是一種種大部分識別的專利申請儀器產品,于高壓低壓、大耗油率、高非線性和寬帶網絡選用。該機件的總儀器外部為4直徑。AM010MH4-BI-R專為高電率徽波APP而的設計,上班頻段高達模型3GHz。BI系列的進行非常規裝修設計的淘瓷裝封,微彎或平直的引線和卡箍部進行插入圖式布置的方式。內包裝下方的卡箍部一起看做直流變壓器跨接、rf射頻跨接和熱出入口。這樣的HiFET符合要求RoHS準則。
功能
28V漏極偏壓
寬帶網這部分匹配好:DC–2.4GHz
將高達3 GHz的低頻實際操作
高收獲:G=19dB@2.0GHz
高最大功率:P1dB=31dBm@2.0GHz
高波形:IP3=46dBm@2.0GHz
有效率水冷的淘瓷封裝
用
寬帶網絡應用
直流電20至28V
遠程本地化環公路網絡
PC通信基站
WLAN、中繼器和超內網
C股票波段VSAT
中國航空網上溝通
漢語
徽波元電器元件封裝