NPT2010 GaN-HEMT一種光纖寬帶單晶體管,為DC-2.2ghz運行而改善。該裝置設備開發代替重復波、脈沖激光和線形操控,的輸出工率級為100W(50dBm),用到帶螺母法蘭片的工業化條件黑色金屬瓷質打包封裝。
特征描述
非常適合非線性和過剩應用領域
可從DC-2.2 GHz調諧
48V實操
工業化的的標準包
高泄水熱效率(>60%)
APP
飲水機通信網絡
大陸架移動端移動電
空航微電子的設備
遠程根本體系
ISMapp
VHF/UHF/L中波段統計
微波加熱元元器
NPT2010B大輸出微波射頻輸出尖晶石管做工作頻次:DC-2.2GHz 最大功率: 100W-50dBm高可信度性瓷質鍍銀封裝GaN加工工藝
NPT2010 GaN-HEMT一種光纖寬帶單晶體管,為DC-2.2ghz運行而改善。該裝置設備開發代替重復波、脈沖激光和線形操控,的輸出工率級為100W(50dBm),用到帶螺母法蘭片的工業化條件黑色金屬瓷質打包封裝。
特征描述
非常適合非線性和過剩應用領域
可從DC-2.2 GHz調諧
48V實操
工業化的的標準包
高泄水熱效率(>60%)
APP
飲水機通信網絡
大陸架移動端移動電
空航微電子的設備
遠程根本體系
ISMapp
VHF/UHF/L中波段統計