CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路用規則的pHEMT工藝設備制造技術:柵極厚度0.25μm,依據的基板的通孔,水汽橋和光電子束柵北極光刻。
它通過無鉛二極管封裝。
微波加熱元電子器件
CHA3666-QAG 放大器– LNA
微波射頻資源帶寬(GHZ): 5.8 - 17增益控制(dB):21增益控制同軸度(dB):0.5躁音指數(dB):1.8P-1dB讀取(dBm):16定貨交貨期:3-4周CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路用規則的pHEMT工藝設備制造技術:柵極厚度0.25μm,依據的基板的通孔,水汽橋和光電子束柵北極光刻。
它通過無鉛二極管封裝。