CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板使用原則的pHEMT工序制造出:柵極時間0.25μm,依據基材的通孔,氣橋和電子無線束柵神行者刻。
紅外光元電子器件
CHA3666-99F 放大器– LNA
頻射速率(GHZ): 6 - 17增益控制(dB):21增益值同軸度(dB):0.5的噪音標準值(dB):1.8P-1dB轉換(dBm):17訂購交貨時間:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板使用原則的pHEMT工序制造出:柵極時間0.25μm,依據基材的通孔,氣橋和電子無線束柵神行者刻。