CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該集成運放進行條件的pHEMT的工藝加工:柵極厚度0.25μm,借助基材的通孔,新鮮空氣橋和微電子束柵極夜刻。
它以存儲芯片行駛提供數據。
微波射頻元元器件封裝
CHA2069-99F 放大器– LNA
頻射帶寬的配置(GHZ):16 - 31增加收益(dB):22收獲同軸度(dB):1嘈音指數公式(dB):2.5P-1dB輸入輸出(dBm):10定購交貨時間:3-4周CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該集成運放進行條件的pHEMT的工藝加工:柵極厚度0.25μm,借助基材的通孔,新鮮空氣橋和微電子束柵極夜刻。
它以存儲芯片行駛提供數據。