CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電線選取標準化的pHEMT方法創造:柵極高度0.25μm,憑借基材的通孔,室內空氣橋和電子無線束柵幻影刻。
它以存儲芯片結構類型展示 。
紅外光元電子器件
CHA2190-99F 放大器– LNA
微波射頻帶寬起步(GHZ):20 - 30增加收益(dB):15增益控制同軸度(dB):0.5背景噪聲公式(dB):2.2P-1dB輸出精度(dBm):11定購貨期:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電線選取標準化的pHEMT方法創造:柵極高度0.25μm,憑借基材的通孔,室內空氣橋和電子無線束柵幻影刻。
它以存儲芯片結構類型展示 。