所述CHA5266-FAB是在無引線面上上的一級片式砷化鎵中功效增加器裝有密封墊金屬質陶瓷圖片6x6mm2包。
它來設計使用在從軍事到商業圈網絡通信設備的大面積運用。
該電線應用pHEMT藝制作業,柵極的長度為0.25μm,可以通過柔性板的通孔,空氣質量橋和電子器材束柵星空刻技術工藝制作業。
它以具有RoHS的SMD封裝形式能提供。
紅外光元元器
CHA5266-FAB 放大器– MPA
微波射頻資源帶寬(GHZ):10-16增益值(dB):24IP3(dBm):35.5P-1dB所在(dBm):26工作輸出公率(dBm):27.5訂購貨期:3-4周所述CHA5266-FAB是在無引線面上上的一級片式砷化鎵中功效增加器裝有密封墊金屬質陶瓷圖片6x6mm2包。
它來設計使用在從軍事到商業圈網絡通信設備的大面積運用。
該電線應用pHEMT藝制作業,柵極的長度為0.25μm,可以通過柔性板的通孔,空氣質量橋和電子器材束柵星空刻技術工藝制作業。
它以具有RoHS的SMD封裝形式能提供。