CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該企業產品為雷達探測和中國電信等多種多樣RF電壓軟件供給代用和光纖寬帶防止策劃方案。
該控制電路是在SiC襯底上適用0.25μm柵長的GaN HEMT水平制造出的。
它以裸電源芯片類型說出,同時需要外相配電線。
紅外光元元件封裝
CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@規律(GHz): 18 @ 6做工作幾率(GHz): 數量最多5個飽滿輸出(W): 88PAE(%)@規律(GHz): 65 @ 6購貨貨期:3-4周CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該企業產品為雷達探測和中國電信等多種多樣RF電壓軟件供給代用和光纖寬帶防止策劃方案。
該控制電路是在SiC襯底上適用0.25μm柵長的GaN HEMT水平制造出的。
它以裸電源芯片類型說出,同時需要外相配電線。