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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
必要技術參數

CHZ180AaSEB  內部匹配的GAN功率晶體管

rf射頻服務器帶寬（GHz）： 1.2-1.4小數據信息收獲（dB）：20最大功率（W）：200對應增加收益（dB）： > 14P-1dB輸入（dBm）：-PAE（％）： 52定購交貨：3-4周

品牌：UMS微波

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CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

相當最合適脈沖造成的雷達探測應用軟件。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT技術上提出來的。它研究背景準MMIC系統。

它使用膠封卡箍工業陶瓷黑色金屬電壓封裝形式，可供應低鉆入和低導熱系數。


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