Cree集團的CMPA2560025F一種鑒于氮化鎵(GaN)高電子廠為了滿足電子廠時代發展的需求,搬遷率氯化鈉單晶體管(HEMT)的單面微波通信模塊化電源線路(MMIC)。與硅或砷化鎵不同于,GaN擁有更大的損壞電流、更大的飽和電子廠為了滿足電子廠時代發展的需求,漂移進程和更大的熱導率。與Si和GaAs氯化鈉單晶體管不同于,GaN-hemt還擁有更大的耗油率規格和更寬的上行速率使用。這MMIC收錄一些有級反映符合圖像放大電路,使至關寬的上行速率使用可能在一些小的拆遷賠償面積的卡緊二極管封裝,擁有銅鎢蒸發器器。
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微波射頻元元器件封裝封裝