英文版
微波射頻元元器
AM025WN-BI-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總橫向為2.5mm。它就是個瓷質打包封裝，運行頻點自由高達8千兆赫。BI一系列選擇唯一性設置的瓷質打包封裝，選擇嵌到式裝配措施，帶異拉伸（BI-G）或直（BI）高壓導線。芯片封裝下端的蝶閥法蘭一并看做直流變壓器一定接地線、頻射一定接地線和熱入口。此局部適用RoHS。
特征描述
自由高達8GHz的中頻方法
增加收益=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
接觸面貼裝
管用熱量散發的下層
使用
高信息讀取器
蜂窩無限通信基站
帶寬和窄帶變小器
雷達天線
各種測試測量儀器
中國國防
電磁波輻射器