欧洲一区二区-欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区

AM012WN-BI-R一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總總寬為1.25直徑。它是在同一個陶瓷制品雙包操作步驟高達獨角獸10千兆赫。BI編選取特異規劃的工業陶瓷打包封裝，選取融入式安裝使用的方式，帶異彎度（BI-G）或直（BI）絕緣線。封裝下面的蝶閥法蘭時候用在直流電源跨接、微波射頻跨接和熱入口。此組成部分符合要求RoHS。

特色

高達mg10GHz的中頻工作

增益值=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz

表面上貼裝

很好的散熱管的表層

應用領域

高動態圖片發送器

蜂窩有線移動信號塔

聯通寬帶和窄帶增加器

統計

檢查實驗儀器

軍事

抑制器