AM025WN-00-R有的是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長度為2.5毫米(mm)(的兩個1.25毫米左右FET串連)。它就是一個裸模,可運行高達到15千兆赫。它也可以能提供40.5 dBm的基本特征趨于穩定電功率。此方面合乎RoHS。
特證
可高達15GHz的高頻率使用
在2GHz時增益控制=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
技術應用
蜂窩無線網通信基站
遠程局域網連接、中繼器
C光波VSAT
統計
檢測分析儀器
軍事化
徽波元電子器件
頻率:DC-15GHz
增益控制:21
P1dB(DBM):38.9
PSAT(DBM):40.5
VD(V):28
AM025WN-00-R有的是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長度為2.5毫米(mm)(的兩個1.25毫米左右FET串連)。它就是一個裸模,可運行高達到15千兆赫。它也可以能提供40.5 dBm的基本特征趨于穩定電功率。此方面合乎RoHS。
特證
可高達15GHz的高頻率使用
在2GHz時增益控制=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
技術應用
蜂窩無線網通信基站
遠程局域網連接、中繼器
C光波VSAT
統計
檢測分析儀器
軍事化