AM012WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長寬為1.25豪米。它不是個裸模,可操作步驟萬代高達15千兆赫。它就可以提拱典例的37.7 dBm的達到飽和狀態電功率。此方面契合RoHS。
共同點
高達模型15GHz的高頻的操作
在2GHz時增加收益=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
應用
蜂窩有線移動基站
遠程廣域網、中繼器
Ck線VSAT
預警雷達
檢驗設備
軍事化
紅外光元元器
頻率:DC-15GHz
增益控制:22
P1dB(DBM):36.1
PSAT(DBM):37.7
VD(V):28
AM012WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長寬為1.25豪米。它不是個裸模,可操作步驟萬代高達15千兆赫。它就可以提拱典例的37.7 dBm的達到飽和狀態電功率。此方面契合RoHS。
共同點
高達模型15GHz的高頻的操作
在2GHz時增加收益=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
應用
蜂窩有線移動基站
遠程廣域網、中繼器
Ck線VSAT
預警雷達
檢驗設備
軍事化