行業內資訊、短視頻軟件
發表時期:2019-02-22 10:24:49 搜素:2728
Wolfspeed的CGHV96100F2是炭化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子技術移遷率多晶體管(HEMT)。與另一個技術工藝相對,這樣GaN的內部一致(IM)FET更具突出的功效擴展效果。與硅或砷化鎵對比,GaN含有出眾的的性能,具有更加高的熱擊穿額定電壓,更加高的呈現飽和狀態光學漂移強度和更加高的傳熱率。與GaAs結晶體管好于,GaN HEMT還出具最大的瓦數密度計算公式和更寬的傳輸速率。該IM FET采用了金屬材料/工業陶瓷法蘭片封裝,兼具極佳的電和性熱能。
特征
如若您需要購買CGHV96100F2,請點擊右側客服聯系我們!!!
品牌
型號
貨期
庫存
CREE
CGHV96100F2
1周
320
| 谷值輸出的最大功率 | 100W | |
|---|---|---|
| 選用 | L頻譜/ S頻譜/ X頻譜/ C頻譜/ Ku頻譜 | |
| 主要表現的電率額外增加吸收率PAE | 45% | |
| 先進典型電率(PSAT) | 145瓦 | |
| 效率增益控制 | 10噪音分貝 | |
| 做工作標準電壓值 | 40 V | |
| 幾率 | 7.9 - 9.6 GHz | |
| 標簽印刷款式 | 輪緣 | |
| 內部管理適合 | 是 - 50Ω | |
示意圖
