欧洲一区二区-欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区

HMC219B一款超小款基礎雙均衡混頻器，分為了8引腳超小款塑料管表貼封裝類型，帶曝露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單電子配件微波通信模塊化控制集成運放(MMIC)混頻器分為了砷化鎵(GaAs)金屬制半導體行業場滯后效應單晶體管(MESFET)加工加工制造，不可對外部構件或連接控制集成運放。該配件常用作頻點規模為2.5 GHz至7.0 GHz的上交流伺服電機、下交流伺服電機、雙相配制器或相位比效器。 立維創展HMC219B選用所經網站優化的巴倫格局，給出漂亮的本振(LO)至rf射頻(RF)要進行防護隔離及LO至中頻(IF)要進行防護隔離特點。復合RoHS的標準的HMC219B不須線焊，與高存儲空間表貼生產加工技藝兼容。MMIC特點動態平衡可提升 系統本職工作效果并抓好復合HiperLAN、U-NII和ISM法律規定讓。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE應用軟件

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖