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XC2100E-03S是一種低剖面，高性能的3dB混合耦合器在一個新的易于使用，制造友好的表面安裝包。它是為NMT波段應用而設計的。XC2100E-03S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊密幅度相位平衡的應用而設計的。它可用于高達45瓦的大功率應用。零件經過嚴格的鑒定測試，并使用熱膨脹系數（CTE）與常見基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4350和聚酰亞胺）兼容的材料制造。可用于5/6錫鉛（XC2100E-03S）和6/6符合RoHS標準的浸錫（XC2100E-03S）。

XC2100E-03S基本特征：

?2.0 - 2.3GHZ

?不超越

?相當低的材料耗費

?牢固幅值不平衡量

?高隔絕度

?生產的友好關系型

?磁帶和卷盤

?供給無鉛（無原因分析）或錫鉛

?可靠，擬合度=0.53

XC2100E-03S關鍵主要參數

概率（GHZ）：2.0 - 2.3

效率（W）：100

回波消耗的資金（dB）：24.9

插入圖材料耗費（dB）：0.12

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