職業資迅
發表事件:2022-07-20 16:36:43 查看:970
CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。
本質特征
17dB先進典型。10GHz時的小數據信號增益控制值
60%典型示范值。10GHz時的PAE
6W主要Psat
40伏操作
高至18GHz的遠程控制
選用
衛星信號網絡通訊
PTP通訊網接入
海洋汽車雷達
摩托艇雷達天線
港灣船泊路網保障
寬帶網拖動器
高錯誤率率變小器

CREE(科銳)建立于1987年,CREE科銳享有30多年后的寬帶網絡GAP鋼筋取樣料和改革創新企業產品,CREE科銳都是個齊全的來設計戰略合作朋友們,達到微波射頻的訴求,CREE科銳為行業界技術更優的絲機設備供給更強的效率和更低的功用耗損率。CREE科銳由最已經開始的GaN材料LED品牌水平頂尖全天下,到微波頻射頻射與mm波基帶芯片品牌,CREE科銳于2017年分割出微波通信頻射項目Wolfspeed,以網絡帶寬、大工率放小器的產品為特色文化。
珠海市立維創展技術是CREE的供應商商,存在CREE徽波元器優勢訂貨業務,并長期的存量外盤,以備不時之需中國國家整個市場需要量。
情況知道CREErf射頻紅外光請彈窗://www.anchor-appliance.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |