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C股票波段氮化鎵 HEMT圖像放大器電路CGHV1F025 CREE

發布的時段:2022-08-17 16:53:17     手機瀏覽:1036

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S經營在40伏鐵路運輸道岔上,裝封在3mmx4mm;外表面安裝程序;雙平扁無高壓導線(DFN)封裝形式。削減了工作效率;CGHV1F025能從40V至20VVDD的電壓下啟用;堅持高增益值和高效、性價比最高率。

功能

高達模型15GHz的控制電腦

25W主要表現轉換工作效率

9.4GHz時11dB增加收益值

8.9–9.6GHz的新技術APP電路系統

軟件應用

L;S;C;X 和Ku頻譜變大器

CREE(科銳)開設于1987年,CREE科銳有著30十幾年的帶寬GAP原料料和信息化產品,CREE科銳都是個系統的結構設計達成合作朋友,具有頻射的訴求,CREE科銳為行在業內方法前沿的器機主設備展示更強的額定功率和更低的功能表損耗費。CREE科銳由最已經開始的GaN基面材料LED類物料水平領先地位全天下,到紅外光rf射頻與直徑波處理器類物料,CREE科銳于2017年分離出微波通信頻射企業品牌Wolfspeed,以帶寬、大輸出功率變小器貨品為代表性。

佛山市立維創展技術是CREE的代理商商,占有CREE微波通信元器件封裝其優勢供貨商校園營銷渠道,并太久貨存外盤,以防中貿易市場的需求。

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 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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