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?CG2H80120D C光波GaN HEMT 單片機芯片CREE

發表用時:2022-11-16 16:53:01     訪問 :930

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高電子設備轉至率晶狀體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相信較,GaN應具良好越的性能方面;CG2H80120D是指高的電壓擊穿場強;高的飽和狀態光學漂移頻率;和高的熱導率。與Si和GaAs納米線管相對于較,CG2H80120D擁有越高耗油率規格和更寬的帶寬起步。

特色

120W經典的PSAT

28伏控住

高穿透場強

溫度高度調節

高至8GHz的操控性

便捷率

廣泛應用

2路專用型手機無線通訊網絡

移動寬帶放縮器

蜂窩基本設施設備修建

公測機器設備

ClassA;AB;主耍采用OFDM的非線性放小器;wlan頻分多址;表面;CDMA弧形

CREE(科銳)解散于1987年,CREE科銳遵循30多年的的帶寬GAP原料料和創新發展新品,CREE科銳不是個完整性的定制進行創業合伙人們,不符合微波射頻的需求分析,CREE科銳為行在業內技木領先地位的機械機機供給更強的工作效率和更低的效果衰減。CREE科銳由最就開始的GaN材料的特性LED的類產品方法技術型全中國,到微波加熱頻射與分米波集成塊的類產品,CREE科銳于2017年拆分出微波加熱rf射頻品牌標志Wolfspeed,以寬帶網、大耗油率調大器好產品為的特色。

河南市立維創展高新科技是CREE的生產商商,享用CREE微波通信元件強勢訂貨推廣方式,并繼續銷量期貨,僅作在我國市面 需要量。

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CG2H80120D.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80120D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

120 W

>12 dB

65%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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