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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

進而，其盡力的研究成果造成無源GaN混頻器設計構思在投入三階交調截點（IIP3）與本地服務自由振蕩器（LO）能夠器的占比的方面已超所有的砷化鎵（GaAs）無源混頻器設計構思 - a品質保證質數制定MMIC就在創造自己線形成功率。從S頻譜到K頻譜（2 GHz到19 GHz），這個新型產品無源GaN混頻器分享的IIP3加數遠優于30 dBm，LO能夠電平約為20 dBm，線形成功率優于10 dB。

如若您需要購買該產品，請隨時聯系我們，我們將竭誠為您服務！！！