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?GTVA101K4 L股票波段輸出功率圖像放大器電路CREE

頒布時:2023-09-13 16:58:47     查看:1344

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。

基本特征

錄入兼容

種類的輸入脈沖間斷波性;960–1215MHz;50V;一層;128μs脈沖信號橫向;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的傷害公率;事業辦事效率=68%;收獲值=17dB

無鉛并做到RoHS基準

適用這個領域

聲納增加器

CREE(科銳)開設于1987年,CREE科銳掌握30多年的的光纖寬帶GAP原料料和創新性好產品,CREE科銳也是個詳細完整的結構設計協作伙伴們,完全符合微波射頻的需要量,CREE科銳為行行業內系統世界領先的機子生產設備保證更強的效率和更低的能力衰減。CREE科銳由最開啟的GaN基面材料LED商品技術性頂尖全這個世界,到微波通信微波射頻與mm波IC芯片商品,CREE科銳于2017年區分出微波加熱頻射產品品牌Wolfspeed,以寬帶網絡、大額定功率調小器產品的為一大特色。

成都市立維創展科技公司是CREE的代理商商,持有CREE微波通信配件其優勢要貨校園營銷渠道,并持久銷量現貨平臺,以備不時之需國茶葉市場具體需求。

信息要了解CREE微波射頻射頻微波射頻請點開://www.anchor-appliance.cn/brand/35.html

CREE (21).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down

LTN/GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

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Packaged Discrete Transistor

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