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CREE的CGHV96130F是增碳硅(SiC)基本材料上的氮化鎵(GaN)高變更率多晶體管(HEMT)與某個系統相比較，CGHV96130F實物順應(IM)FET包括不錯的額定功率額外增加學習效率。與砷化鎵相對于，GaN極具非常好的性能指標；涉及越來越高些些的熱擊穿場強；越來越高些些的是處于飽和狀態智能漂移轉速和越來越高些些的熱導率。與GaAs硫化鋅管相比較，GaN HEMT還享有越來越高的輸出功率導熱系數和更寬的速率。CGHV96130F采用輕金屬/衛浴陶瓷蝶閥法蘭二極管封裝能否達成更好的電氣成套和熱安穩性。

本質特征

166WPOUT（經典值）

7.5dB電機功率增益值值

42%典范PAE

50Ω內外適用

<0.3dB熱效率減少

產品設備技術參數

形容：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；重要用來X中波段聲納軟件應用的鍵盤輸入/輸出精度兼容性測試GaNHEMT

最長速度(MHz)：8400

比較大次數(MHz)：9600

上限值輸入輸出工作電壓(W)：130

效應（％）：42

載荷系數的電壓(V)：40