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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子元器件遷出率結晶管(HEMT)。滿足前所尚無的輸人，可以在DC-2.0GHz標準內得提高好一點的的瞬時聯通寬帶功效。與硅或砷化鎵對比較，CGHV40180具更加的優良的特性；具有較高的穿透場強；較高的是處于飽和狀態電子元器件漂移速度慢與較高的導電比率。與Si和GaAs氯化鈉晶體管對比較，CGHV40180還可以提供高的輸出功率密度計算公式和更寬的帶寬使用。CGHV40180采用2電纜線金屬材質/衛浴陶瓷法蘭部盤和藥丸式裝封，才可以完成最好的電氣公司和熱平穩性。

表現形式

輸人不匹配

180W(CW)極低輸出

250W舉例瓦數

24dB一般小預警增益控制值

28V和50V便用

廣泛應用業務領域

雷達探測器探測器

診療健康

網絡帶寬放小器

產品信息很安全VHF-UHF

航空航天軍事體育移動通訊裝置

貨品型號規格

簡述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高光電轉入率晶胞管

最小平率(MHz)：0

比較高平率(MHz)：2000

很高值輸出的公率(W)：200

收獲值(噪音分貝)：24.0

速度（％）：70

額定值端電壓(V)：27

型號：封口分立晶狀體管

封裝類型類：法蘭盤盤、丸狀

系統應用：GaN-on-SiC