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CGHV50200F是種特意來設計用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

特殊性

4.4–5.0GHz工做

180W常見PSAT

11.5dB常有電率增益值值

48%常有供電的效率

50Ω內外兼容

運用業務領域

無線通訊衛星無線通訊

凌駕視眼——BLOS

過流層光學薄膜散射網絡通信

護膚品型號

描訴：200瓦；4400-5000MHz；50Ω鍵入/打印輸出適用；氮化鎵高光電轉化率尖晶石管

最高平率(MHz)：4400

非常高聲音頻率(MHz)：5000

上限值輸入電功率(W)：200

增加收益值(dB)：11.5

上班生產率（％）：33

額定負載電阻(V)：40

模式：封裝表現形式模式分立納米線管

芯片封裝類形:蝶閥法蘭盤

方法app：GaN-on-SiC