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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

癥狀

7.9–8.4GHz上班

80WPOUT（基本特征值）

>13dB瓦數增加收益值

33%具代表性線型PAE

50Ω里面搭配組合

<0.1dB熱效率縮減

操作區域

北斗衛星電力

水泥地面光纖寬帶

類產品規模

描寫：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；輸出/轉換組合搭配GaNHEMT

低頻率(MHz)：7900

最好頻率(MHz)：8400

最多值內容輸出工作效率(W)：50

增加收益值(dB)：13.0

學習效率（％）：33

特殊電流電壓(V)：40

結構：裝封結構分立多晶體管

封裝類型的方式品目：法蘭片盤

系統適用：GaN-on-SiC