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CMPA1C1D060D是款無定形碳硅多晶硅上不同氮化鎵 (GaN) 高光電轉至率硫化鋅管 (HEMT) 的單支微波通信一體化電線 (MMIC)；CMPA1C1D060D用0.25 μm柵極的尺寸制造加工過程。與硅想必較，GaN-on-SiC享有更進一步高品質的性；砷化鎵或硅基氮化鎵；構成最高的穿透場強；最高的供大于求電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移學習效率和最高的導電公式。

特征英文

要具備 26 dB 小警報增加收益值

60 W 非常典型 PSAT

額定電阻高至 40 V

高擊穿電壓場強

高熱度操作

廣泛應用前沿技術

PTP 遠程網絡通信

衛星影像電訊上行下行時延

食品規格為

描寫：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 工率圖像功率放大器

評均頻繁 (MHz)：12700

比較高頻繁(MHz)：13250

最快值傳輸輸出(W)：65

增加收益值(dB)：26.0

的效率（％）：30

額定功率電壓電流(V)：40

基本模式：MMIC 裸片

芯片封裝類型：Die

技能使用：GaN-on-SiC