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CREE的CMPA1D1E025F是款炭化硅單晶體上表明氮化鎵 (GaN) 高電子器件移遷率氯化鈉晶體管 (HEMT) 的單支微波射頻結合用電線路 (MMIC)；配用 0.25 μm 柵極規格尺寸制作而成工藝制作。與硅相對較，GaN-on-SiC含有愈加優秀的穩定性；砷化鎵或硅基氮化鎵；構成更加高的損壞場強；更加高的飽滿電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移速率和更加高的傳熱標準值。CMPA1D1E025 并選擇 10 絞線；25 mm x 9.9 mm；材料/瓷質法蘭部盤二極管封裝才能進行最志向的電子商務裝備和熱增強性。

特證

24 dB 小無線信號增加收益值

40 W 典型性脈沖造成的數據信息 PSAT

功率電流高至 40 V

OQPSK 下 20 W 線形工作功率

A/B類高增益控制；更高有效率 50 Ω MMIC Ku 幾率段高最大功率變大器

運用區域

民品用和商用型 Ku 波長統計

物品技術參數

詳情：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 光波 GaN MMIC 電功率縮放器

最低值頻點(MHz)：13500

高頻繁 (MHz)：14500

最多值輸出電壓瓦數(W)：25

收獲值(dB)：26.0

上班生產率（％）：16

額定值端電壓(V)：40

類型的：封裝形式的MMIC

芯片封裝類：法蘭片盤

技術應用：GaN-on-SiC

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