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CREE的CMPA1D1E030D是款增碳硅單晶體上給出氮化鎵 (GaN) 高電子器件遷出率結晶管 (HEMT) 的單支徽波結合電路原理 (MMIC)；CMPA1D1E030D用0.25μm柵極圖片尺寸生產技術水平技術水平。與硅比起來較，GaN-on-SiC具備著比較優等的性能方面；砷化鎵或硅基氮化鎵；包涵更加高的熱擊穿場強；更加高的飽合電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移生產率和更加高的導電指數。

功能

27 dB 小表現增益值值

30 W 一般 PSAT

工作任務線電壓高至 40 V

高熱擊穿場強

低溫度調節

選用業務領域

定位通信上行帶寬外鏈

物料規格尺寸

詳情：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 工率圖像放大電路

最低值速度(MHz)：13750

很高速度(MHz)：14500

是最高的值輸入輸出電機功率(W)：30

增益控制值(dB)：26.0

率（％）：25

工作任務電流值(V)：40

內容：MMIC 裸片

封裝類目：Die

枝術：GaN-on-SiC

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