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更新時間:2024-03-18 17:06:51 網頁瀏覽:802
CREE的CMPA2735030是種依據氮化鎵 (GaN) HEMT 的單面微波加熱整合電源電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵差距較,GaN還具有進一步高品質的性能方面;比如高些的損壞場強;高些的呈現飽和狀態微電子漂移成功率和高些的傳熱性彈性系數。與Si和GaAs結晶管相對較,GaN HEMT還提供數據了更好的工作電壓密度計算和更寬的網絡帶寬。CMPA2735030也包括多級電抗匹配最大功率縮放器設置難點,可滿足穩定性寬的帶寬起步。

特證
額定功率電阻更是高達 50 V
高電壓擊穿場強
高寬比為 5mm x 5mm;QFN 芯片封裝
溫度過高度應用
app教育領域
商用型和軍用用單脈沖統計工作功率調小器
護膚品金橋銅業跨接線的截面積大小
描敘:30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 效率調小器
最底幾率(MHz):2700
最大幾率(MHz):3500
最多值輸送輸出最大功率(W):30
增加收益值(dB:)30.0
本職工作轉化率(%):45
載荷系數電壓降(V):50
樣式:離散裸單片機芯片
二極管封裝品目:Die
新技術:GaN-on-SiC
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