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?CMPA2735030 航班核工業與民防GaN MMIC工作電壓擴大器

更新時間:2024-03-18 17:06:51     網頁瀏覽:802

CREE的CMPA2735030是種依據氮化鎵 (GaN) HEMT 的單面微波加熱整合電源電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵差距較,GaN還具有進一步高品質的性能方面;比如高些的損壞場強;高些的呈現飽和狀態微電子漂移成功率和高些的傳熱性彈性系數。與Si和GaAs結晶管相對較,GaN HEMT還提供數據了更好的工作電壓密度計算和更寬的網絡帶寬。CMPA2735030也包括多級電抗匹配最大功率縮放器設置難點,可滿足穩定性寬的帶寬起步。

CMPA2735030.png

特證

額定功率電阻更是高達 50 V

高電壓擊穿場強

高寬比為 5mm x 5mm;QFN 芯片封裝

溫度過高度應用

app教育領域

商用型和軍用用單脈沖統計工作功率調小器

護膚品金橋銅業跨接線的截面積大小

描敘:30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 效率調小器

最底幾率(MHz):2700

最大幾率(MHz):3500

最多值輸送輸出最大功率(W):30

增加收益值(dB:)30.0

本職工作轉化率(%):45

載荷系數電壓降(V):50

樣式:離散裸單片機芯片

二極管封裝品目:Die

新技術:GaN-on-SiC

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