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UMS微波通信CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

氯化鈉晶體管以裸晶片模式供給，所需異常配對電源線路才可以完全產生其發展空間。既使，也正是這樣設計的概念顯著特點詮釋了CHK5010-99F多樣化的系統和諸多的應用領域發展空間。一般作用有其卓越的聯通寬帶作用，的支持高達獨角獸12 GHz的電磁和累計波操作步驟。對于GaN新技術，該設定可實行高轉換和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時實行最加性能方面。還有，該單片機芯片具0.90x0.80x0.1mm的寬敞厚度，如果在限制的余地中也不錯枯燥融合。除去其專業技能的能，CHK5010-99F還適合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006細則，確定環保節能和安會。這讓移動用戶在會選擇和便用的產品時專心，而沒必要再擔心對室內環境的不好影響力。自始至終，CHK5010-99F是一種款不錯相信的高安全安全性能GaN晶胞管，體現了具有廣泛性的選用和非常出色的功能鍵。其讓人映像感觸頗深的安全安全性能和貼合業標準規范使其成頻射公率選用的耐用選定，為該方向發展壯大了新的可以性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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