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CMPA5585025F頻射圖像放大器電路CREE

上傳時期:2024-06-07 08:41:20     查看:1065

  CREE的CMPA5585025F是一款基于氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。相比硅或砷化鎵,GaN具有更高的性能,包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱性。與Si和GaAs晶體管相比,GaN HEMT提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該MMIC采用10引線金屬/陶瓷法蘭封裝,具有最佳的電氣和熱性能。


CMPA5585025F射頻放大器CREE

  特性:

  25db小電磁波收獲  35w主要表現PSAT  作業高至28 V  高穿透直流電壓  溫度高實際操作  尺碼1.00 x 0.385英尺  該rf射頻調大器應使用在直連無線網絡電、安全可靠及及衛星影像安全可靠上漲等操作。

Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G):

Parameter5.8 GHz6.4 GHz7.2 GHz7.9 GHz8.4 GHzUnits
Small Signal Gain29.524.024.024.022.0dB
Output  Power11523201919W
Power  Gain121.719.517.218.518.6dB
Power Added Efficiency302520.51919.5%

長沙市立維創展自動化CREE的供應商商,持有CREE微波加熱元器主要優勢采購推廣渠道,并常年庫存管理現貨黃金,以作國家股票市場實際需求。

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