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我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器，高壓技術，微波器件，功率合成器，MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員，警察，和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法，增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術，我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗，導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫，我們功率結合四，2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率，具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm，分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT這些2x1.12mm的設施機拼接1.12mm的二個DC和RF串接機組蓄充電箱集成電路芯片。讓我們稱其為機HIFET〔4, 5, 6，7〕。整流偏置電阻值與頻射這些HIFET的的內容輸入工作導出精度電位差也都是1.12mm機組蓄充電箱配置。根據非常合適確定機組蓄充電箱集成電路芯片外形的尺寸和串接機組蓄充電箱集成電路芯片的數目可改善HIFET最優的的內容輸入工作導出精度電位差親近以達到50歐姆，達到光纖移動寬帶使用性能。圖2A和2B體現首個時間段中，和其二時間段中，的復制粘貼和的內容輸入工作導出精度電位差，各是。請目光，其二時間段中，優化。在0.25GHz的的內容輸入工作導出精度電動機扭矩電位差親近50歐姆。這些但是讓低頻射損耗率光纖移動寬帶配備，她是高的內容輸入工作導出精度耗油率達到寬頻率段的非常重要程度和效應。這50歐姆最優的的內容輸入工作導出精度電位差為根據非常合適確定機組蓄充電箱集成電路芯片外形的尺寸和編設施機的數目。根據其二時間段中，有2機組蓄充電箱串接，整流偏置電阻值為60V的其二時間段中，。