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?GTRB266502FC S頻譜高電功率RF GaN基SiC調大器CREE

披露的時間:2024-10-25 17:07:29     網頁瀏覽:739

CREE增加器GTRB266502FC是款630 W(P3dB)S光波高輸出RF GaN基SiC放縮器,著力推進于多細則蜂窩狀交流電源技術應用需求分析結構設計。GTRB266502FC配備效應率和無環槽的熱減弱二極管封裝統計資料。

GTRB266502FC.png

優點

?GaN on SiC水平

?復制粘貼打出匹配

?不符稱設計的:

主:P3dB=297 W

最高的人值:P3dB=416W

?脈沖造成的CW能依據:2690 MHz,48 V,10μs脈沖發生器長寬比,10%pwm占空比,結合導出

?打出耗油率@P3dB=630 W

?P3dB時的轉化率=67%

?低熱導率

?夠滿足RoHS規范標準

選用

?蜂窩狀電原

東莞市立維創展現代科技是有限的廠家軟件授權經售CREE微波射頻器材,若是是需要購CREE貨品,請點擊進入左下客戶服務取得聯系各位!!!

推送方式
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