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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是種聯通寬帶晶胞管集成電路芯片，應對DC-3.5 GHz事情的來了優化調整。該集成電路芯片支持系統CW，單脈沖和規則化事情的，輸入工作效率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150相對符合于民防網絡通訊，大陸移動式wifi手機電，國際航空電子機機，wifi手機基礎框架公用設施，ISM利用和VHF / UHF / L / S股票波段統計。通過SIGANTIC®制作工藝制造廠 - 一個專有的GaN-on-Silicon技藝。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是世界各國獨一這家應該用于頻射應該用的GaN on Si科技銷售商商。我國在Si RF額定耗油率硫化鋅管廠品上打造廣泛性的聯續波（CW）GaN，最為分立耗油率器件和引擎，構思操作在DC至6 GHz。我國的高額定耗油率CW和直線硫化鋅管是民用型飛機智能裝置，無線通信，在線，長智能雷達探測已經化學工業，科學性和醫院應該用的滿意選定 。我國的廠品組合構成進行了MACOM以上60年的傳統式，也許用GaN on Si科技打造標準單位和訂制來解決處理，以實現消費者最刻薄的消費需求。我國的GaN on Silicon廠品，按照分立硫化鋅管和模塊化變成器，按照0.5納米HEMT加工工藝，在額定耗油率，收獲，收獲平緩度，轉化率方位表演出出眾的RF效能，