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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D模式，變大器，適于于多規定蜂窩狀額定功率變大器技巧相關的技術應用在各行各業包括珠寶檢測以及用。GTVA261802FC-V1要具備讀取自適應、高效性率和無軸環熱激發打包封裝的因素。

貨品品種

介紹：SiC HEMT上的高熱效率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最少速率（MHz）：2620

最主要的工作頻率（MHz）：2690

P3dB輸出精度馬力（W）：170

增加收益值（dB）：16.8

高效益率（%）：43

額定容量端電壓（V）：48

封裝類型：Earless

封裝：封裝分立結晶管

能力：SiC上的GaN

優點

?GaN-on-SiC HEMT技術工藝

?插入兼容性測試

?經典的脈沖造成的CW能力，組合起來輸出，

2690 MHz，48 V，10μs激光脈沖：寬度，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的效果工作功率

-P3dB時的漏極低質量=65.5%

-P3dB=15dB時的收獲值

?才能完工48 V、180 W（CW）模擬輸出瓦數下10:1的VSWR

?超模模式化1A級（只能根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導電彈性系數

?無鉛并夠滿足RoHS基準

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