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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高工率RF GaN調大器，用于多標準單位蜂窩狀額定功率調大器技術水平用。GTRA262802FC必備手機輸入適用、使用率率和無軸環熱改善二極管封裝的特征。

規模技術參數

敘述：SiC HEMT的高電機功率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最低值幾率（MHz）：2490

較高頻點（MHz）：2690

P3dB工作輸出瓦數（W）：250

增益值值（dB）：14

效果（%）：54

穩定端電壓（V）：48

封裝類形類形：Earless

裝封：裝封分立單晶體管

枝術適用：SiC的GaN

特征英文

?GaN-on-SiC HEMT技藝選用

?進入適應

?常見的脈寬CW耐磨性，2605 MHz，48 V，三人組合傷害，16μs電磁厚度，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的內容輸出公率

-速率=62%

-收獲值=14.4 dB

?還在48 V、38 W（CW）輸入工作電壓下實操10:1 VSWR

?女模特模特1A級（利用ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱擴散系數

?無鉛并滿意RoHS的標準

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