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GTRB204402FC/1是CREE的一件350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子器件遷徙率單晶體管（HEMT），堅持創新驅動于多準則蜂窩狀電率調小器枝術APP意愿設計制作。GTRB204402FC兼具極有效果率和無軸環的熱提升封裝。

產品設備樣式

談談：SiC HEMT上的高功效RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

較低幾率（MHz）：1930

高幾率（MHz）：2020

P3dB輸送工作電壓（W）：350

增益控制值（dB）：16.3

高學習效率率（%）：58

額定電阻值（V）：48

裝封類型：Earless

封裝：封裝分立晶狀體管

科技：SiC上的GaN

本質特征

具代表性的電磁CW特性，2020 MHz，48 V，10μs激光脈沖間距，10%pwm占空比，搭配組合內容輸出

P3dB=350W時的傷害額定功率

P3dB時的高利用率的率=65%

模特兒沙盤模型1C級（會按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并要求RoHS細則

鄭州市立維創展科技產業受限單位授權文件生產商CREE徽波集成電路芯片，倘若應該購CREE設備，請點左下克服認識大家！！！