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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子知識率硫化鋅管（HEMT），用在多細則蜂窩狀最大功率增加器枝術用。GTRB226002FC-V1提供極有效率化和無軸環的熱激發芯片封裝組織形式。

商品規格參數

表述：SiC HEMT上的高耗油率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

更低次數（MHz）：2110

極限幀率（MHz）：2200

P3dB輸出的工作效率（W）：450

收獲值（dB）：15

生產率（%）：60

特征英文

典范的脈沖發生器CW性能指標：10μs脈沖發生器間距，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty卡具能力=65%

收獲值=14dB

P3dB=450W時的打印輸出功效

女模特建模 1B級（不同ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低散熱量

無鉛并具備RoHS標準

GaN基SiC HEMT技術工藝

蘇州市立維創展科技品牌局限品牌授權證書供應商CREE徽波元器件，如果要購CREE產品的，請點一下右測售后客服保持聯系他們！！！