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推出時長:2024-11-18 16:59:36 網頁瀏覽:787
GTRA184602FC是款460瓦(P3dB)GaN-on-SiC HEMT D狀態擴大器,秉承于多標準規定蜂窩狀電率擴大器技術應該用要求設計制作。其有顯示篩選、更高生產率和無軸環熱提升芯片封裝的因素。

商品規格參數
闡明:高工作效率RF GaN SiC HEMT,460 W,48 V,1805-1880 MHz
最大速率(MHz):1880
增加收益值(dB):15.5
封口品類:Earless
特殊性
導入識別
錯亂稱多爾蒂設計的概念
主:P3dB=170 W標稱值
最高的值:P3dB=350W標稱值
舉例脈寬CW性能方面:16μs脈沖發生器頻繁 ;10%占空比;2140MHz;48v;多爾蒂卡具
增加收益值=15dB@49dBm
有效率=60%@49 dBm
P3dB=490W時的輸入功效
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