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GTRB246608FC-V1高微電子轉至率納米線管

發部時刻:2024-11-20 16:51:18     搜索:659

GTRB246608FC-V1是CREE的兩款500瓦(P4dB)的SiC上GaN高智能遷徙率硫化鋅管(HEMT),強院于多標準規范蜂窩狀熱效率縮放器選用的需求結構設計。GTRB246608FC-V1遵循更高生產率和無軸環的熱減弱封裝形式。

GTRB246608FC-V1.png

護膚品規格尺寸

說明:高耗油率RF GaN SiC HEMT 500 W,48 V,2300-2400 MHz

上限速度(MHz):2400

增加收益(dB):15.7

封口行業類別:Earless

特殊性

一般智能CW效果,2400 MHz,48 V,10μs脈沖信號平率,10%占空比,組合轉換

P4dB=600 W時的傷害電機功率

P4dB=60%時的的效率

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