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?再次代650 V裸片SiC MOSFET

披露時期:2025-01-03 16:57:39     閱覽:714

行業內人士超出眾導通電阻器和控制開關消耗,也能實現目標最適能和馬力相對密度產品參數。

Wolfspeed可根據再者代650 V SiC MOSFET增多了其氧化硅(SiC)平臺上的為主導價值。在更全面的的輸配電平臺中要求身型更小、權重更輕、更高的效的輸配電圖片轉換。650 V SiC MOSFET是的性能非凡工業電源適配器、功能器/聯通寬帶數據網絡電壓、新能源環衛車類型資源智能車(EV)快充儀器、儲熱裝備、應急響應交流電源(UPS)和電瓶管理設計設計等技能的更好取舍。

特征描述

溫度低室內環境的低導通阻值

低內寄生電阻

掌握非常低倒置恢復原狀的科學規范二級管

不斷地高溫作業操控性(Tj=175°C)

MOSFET.png

優勢與劣勢

進行校準旋鈕和傳送耗用提升 主設備有效率

達成高按鈕頻繁 操作

提生裝置級耗油率容重參數設置

大大減少提升裝置的規格;容量;和保壓規定要求

經典軟件應用

工藝電源適配器

產品器/中國移動互聯網

新再生能源蓄電樁控制系統

存儲主設備(ESS)

應急預案外接電源(UPS)

充電方法設計(BMS)

CREE科銳于2017年分離出來出微波rf射頻rf射頻廠家Wolfspeed,以網絡帶寬、大功效拖動器服務為優勢。

長沙市立維創展創新科技是CREE的經銷處商,有著CREE微波通信元器件好處要貨黑平臺,個人信用切實保障原廠官方旗艦店。

*區域型號規格需申請表韓國出口到許可證書。詳情介紹要了解更多的材質,歡迎辭詢問立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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