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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極屏幕寬度匹配為1.25mm。它是在瓷質BI芯片裝封類型，程序運行高達hg10千兆赫。BI國產選用特色設計的瓷質芯片裝封類型，兼具彎度（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用方案。芯片裝封類型頂端的蝶閥法蘭還用作直流電壓保護一定接地、微波射頻保護一定接地和熱路。整局部是符合要求RoHS標的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
有效果水冷的底端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機