S頻譜高壓電砷化鎵場效果尖晶石管AM030MH4-BI-R
上線日子:2018-11-07 11:32:45 挑選:1783
描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙系GaAs HIFET的幾一些。HIFET是一些連接的專利證書機搭配的高輸出功效,高功效,高曲線度和帶寬運用。該元元器件封裝的總元元器件封裝周圍為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高功效微波微波射頻運用而規劃的,運轉速度敢達3GHz。BI系采取1種特有規劃的瓷磚封裝,兼有拉伸或虛線的引線和凸緣連接習慣。封裝底邊的法蘭片并且作直流電壓一定接地極、微波射頻一定接地極和熱路。這HiFET是按照RoHS標準的的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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511AM030MH4-BI-R RLB
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1周
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50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
代替可以有效風扇散熱的瓷器封裝形式
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信