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Wolfspeed的CGHV96050F2是氧化硅（SiC）柔性板上的氮化鎵（GaN）高電子元器件遷徙率晶狀體管（HEMT）。與另一技術水平想必，這GaN企業內部相配（IM）FET有著很棒的最大功率附帶工作效率。與硅或砷化鎵相比之下，GaN都具有優質的使用性能，有高些的電流值擊穿電流值，高些的飽和點電子設備漂移加速度和高些的傳熱性率。與GaAs氯化鈉晶體管比較，GaN HEMT還具備越大的工作功率相對密度和更寬的上行速率。該IM FET主要包括合金/瓷磚活套法蘭裝封，含有最合適的的電和性熱能。

特征

• 80 W POUT主要表現值

示意圖