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JP503AS低剖面,高特性3dB混后合體器原廠庫存管理

發布了事件:2020-04-01 08:51:37     訪問:1847

JP503AS是一個低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為W-CDMA和其他3G應用而設計的。JP503AS是為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計的,是無線工業日益增長的小型印刷電路板和高性能需求的理想解決方案。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。

JP503AS低剖面,高性能3dB混合耦合器原裝庫存

JP503AS特點:

2.0–2.3千兆赫。

3G頻繁

低自然損耗

高屏蔽度

90°正交

外表面貼裝

磁帶和卷盤

無鉛

100%測試方法

JP503AS更重要參數值

聲音頻率(GHZ):2.0 - 2.3

電機功率(W):25

回波消耗(dB):20.8

插入表格耗損(dB):0.30

長沙市市立維創展新材料技術是有限的公司Anaren知名品牌的代銷商經銷處商,最主要的展示貼片混合體器、巴倫變電器、推遲了線、專向合體器、Doherty合路器、功分器、微蜂窩型解耦器、 RF Crossovers企業產品,企業產品正品存貨,富有單價優越性,邀請管理咨詢

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