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GaN就是一種至關維持的單質，具有著太強的分子鍵、高的熱導率、是最高的的電離度和優質的耐腐蝕維持性，這因此GaN器材比Si和GaAs具備更強的抗放射性物質技能。一并，GaN是一種種高凝固點、高導熱性性的村料。GaN工率電子元器件常見以SiC為襯底，極具更好的熱導率，因為GaN額定功率元器件兼備較高的結一個溫和氣溫運轉水平。

GaN高電子元器件知識率多晶體管(HEMT)不復為5G魔幻基站天線最大電率調大器的主流產品侯選技木，因此其固定性的高穿透電壓降、高最大電率導熱系數、大資源帶寬和高質量率，終成為5 G移動通信基站好選擇半導體材料技術應用。

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離散最大功率GaN HEMT