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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT更具高讀取工作率孔隙率和網絡帶寬寬下的高率的率。因為GaN HEMT的線形度通暢比GaAs元件的線形度差。這段話指出一堆種簡單的的做法來調節GaN HEMT的線形度。所指出的做法是將元件分解成與自由控住的柵極偏置端電壓串連的諸多子第一單元式，第二步對聯第一單元式讀取去工作率整合。

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